BBO는 새로운 자외선 주파수 배가 결정입니다. 일반 굴절률(no)이 이상 굴절률(ne)보다 큰 음의 일축 결정입니다.유형 I 및 유형 II 위상 정합은 모두 각도 조정을 통해 도달할 수 있습니다.
BBO는 Nd:YAG 레이저의 2차, 3차 및 4차 고조파 생성을 위한 효율적인 NLO 결정이며 213nm에서 5차 고조파 생성을 위한 최고의 NLO 결정입니다.SHG의 경우 70% 이상, THG의 경우 60% 이상, 4HG의 경우 50% 이상의 변환 효율과 213nm(5HG)에서 200mW 출력이 각각 얻어졌습니다.
BBO는 또한 고출력 Nd:YAG 레이저의 공동 내부 SHG를 위한 효율적인 결정입니다.음향 광학 Q-스위치 Nd:YAG 레이저의 공동 내부 SHG의 경우, AR 코팅된 BBO 결정에 의해 532nm에서 15W 이상의 평균 출력이 생성되었습니다.모드 잠금 Nd:YLF 레이저의 600mW SHG 출력에 의해 펌핑될 때 263nm에서 66mW 출력이 외부 강화 공진 공동의 Brewster-angle-cut BBO에서 생성되었습니다.
BBO는 EO 응용 분야에도 사용할 수 있습니다. BBO 포켈 셀 또는 EO Q-스위치는 전압이 BBO와 같은 전기 광학 결정의 전극에 적용될 때 통과하는 빛의 편광 상태를 변경하는 데 사용됩니다.베타-바륨 붕산염( β-BaB2O4, BBO ) 특성은 넓은 투명도 및 위상 정합 범위, 큰 비선형 계수, 높은 손상 임계값, 뛰어난 광학 균질성 및 전기 광학 특성을 통해 다양한 비선형 광학 응용 분야 및 전기 광학 응용 분야에 매력적인 가능성을 제공합니다.
BBO 크리스탈의 특징:
• 409.6nm ~ 3500nm의 넓은 위상 정합 범위;
• 190nm에서 3500nm까지의 넓은 전송 영역;
• KDP 수정보다 약 6배 더 큰 유효 SHG(2차 고조파 발생) 계수;
• 높은 손상 임계값;
• δn ≈10-6/cm의 높은 광학 균질성;
• 약 55℃의 넓은 온도 대역폭.
중요 공지:
BBO는 수분에 대한 감수성이 낮습니다.사용자는 BBO 적용 및 보존을 위해 건조한 조건을 제공하는 것이 좋습니다.
BBO는 상대적으로 부드럽기 때문에 연마된 표면을 보호하기 위한 예방 조치가 필요합니다.
각도 조정이 필요한 경우 BBO의 허용 각도가 작다는 점에 유의하십시오.
치수 공차 | (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm)(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.1/-0.1 mm) (L<2.5mm) |
명확한 조리개 | 직경의 중앙 90% 50mW 녹색 레이저로 검사할 때 눈에 보이는 산란 경로 또는 중앙 없음 |
평탄 | L/8 @ 633nm 미만 |
파면 왜곡 | L/8 @ 633nm 미만 |
모따기 | ≤0.2mm x 45° |
칩 | ≤0.1mm |
스크래치/파기 | MIL-PRF-13830B의 10/ 5보다 우수 |
병행 | ≤20아크초 |
수직 | ≤5분 |
각도 공차 | ≤0.25 |
손상 임계값[GW/cm2] | 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ(광택만)의 경우 >1 >1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ(AR 코팅)의 경우 0.5 >532nm, TEM00, 10ns, 10HZ(AR 코팅)의 경우 0.3 |
기본 속성 | |
결정 구조 | 삼각,스페이스 그룹 R3c |
격자 매개변수 | a=b=12.532Å,c=12.717Å,Z=6 |
녹는 점 | 약 1095℃ |
모스 경도 | 4 |
밀도 | 3.85g/cm3 |
열팽창 계수 | α11=4×10-6/K;α33=36x 10-6/K |
열전도 계수 | ⊥c: 1.2W/m/K;//c: 1.6W/m/K |
투명도 범위 | 190-3500nm |
SHG 위상 정합 가능 범위 | 409.6-3500nm(유형 I) 525-3500nm(유형 II) |
열광학계수(/℃) | dno/dT=-16.6x 10-6/℃ dne/dT=-9.3x 10-6/℃ |
흡수 계수 | <0.1%/cm(1064nm에서) <1%/cm(532nm에서) |
각도 수용 | 0.8mrad·cm(θ, Type I, 1064 SHG) 1.27mrad·cm(θ, 유형 II, 1064 SHG) |
온도 수용 | 55℃·cm |
스펙트럼 수용 | 1.1nm·cm |
워크오프 각도 | 2.7°(유형 I 1064 SHG) 3.2°(유형 II 1064 SHG) |
NLO 계수 | deff(I)=d31sinθ+(d11cos3Φ- d22 sin3Φ) cosθq deff (II)= (d11 sin3Φ + d22 cos3Φ) cos2θ |
사라지지 않는 NLO 감수성 | d11 = 5.8 x d36(KDP) d31 = 0.05 x d11 d22 < 0.05 x d11 |
Sellmeier 방정식 (μm의 λ) | no2=2.7359+0.01878/(λ2-0.01822)-0.01354λ2 ne2=2.3753+0.01224/(λ2-0.01667)-0.01516λ2 |
전기 광학 계수 | γ22 = 2.7pm/V |
반파 전압 | 7KV(1064nm에서, 3x3x20mm3) |