테라헤르츠 광원은 항상 THz 방사선 분야에서 가장 중요한 기술 중 하나였습니다. THz 방사선을 달성하는 데 필요한 많은 방법이 입증되었습니다. 일반적으로 전자공학 및 포토닉스 기술이 있습니다.포토닉스 분야에서 큰 비선형 계수, 높은 광학 손상 임계값 비선형 결정을 기반으로 한 비선형 광차 주파수 생성은 높은 출력, 조정 가능, 휴대 가능 및 실온에서 작동하는 THz 파를 얻는 방법 중 하나입니다.GaSe 및 ZnGeP2(ZGP) 비선형 결정이 주로 적용됩니다.
밀리미터 및 THz파에서 낮은 흡수율, 높은 손상된 임계값 및 높은 2차 비선형 계수(d22 = 54pm/V)를 갖는 GaSe 결정은 일반적으로 40μm 이내의 테라헤르츠파와 장파대 조정 가능한 Thz파(40μm 이상)를 처리하는 데 사용됩니다.일치 각도가 11.19°-23.86°[eoo (e - o = o)]일 때 2.60 -39.07μm에서 조정 가능한 THz 파동과 12.19°-27.01°[eoe(e - o = o)] 일치 각도에서 2.60 -36.68μm 출력이 입증되었습니다. - o = e)].또한 일치 각도가 1.13°-84.71°[oee (o - e = e)]일 때 42.39-5663.67μm 조정 가능한 THz 파동이 얻어졌습니다.
높은 비선형 계수, 높은 열 전도성, 높은 광학 손상 임계값을 갖는 ZnGeP2(ZGP) 결정도 우수한 THz 소스로 연구되었습니다.ZnGeP2는 또한 d36 = 75pm/V에서 두 번째 비선형 계수를 가지며 이는 KDP 결정의 160배입니다.유사한 THz 출력(43.01 -5663.67μm)을 처리하는 ZGP 결정의 두 가지 유형 위상 일치 각도(1.03°-10.34°[oee (oe = e)] 및 1.04°-10.39°[oeo (oe= e)]), oeo 유형은 더 높은 효율적인 비선형 계수로 인해 더 나은 선택임이 입증되었습니다.매우 오랜 시간 동안 테라헤르츠 소스로서 ZnGeP2 결정의 출력 성능은 제한되었습니다. 왜냐하면 다른 공급업체의 ZnGeP2 결정은 근적외선 영역(1-2μm)에서 높은 흡수를 갖기 때문입니다. 흡수 계수 >0.7cm-1 @1μm 및 >0.06 cm-1@2μm.그러나 DIEN TECH에서는 흡수 계수가 <0.35cm-1@1μm 및 <0.02cm-1@2μm인 초저흡수 ZGP(모델: YS-ZGP) 결정을 제공합니다.고급 YS-ZGP 크리스털을 사용하면 사용자가 훨씬 더 나은 출력을 얻을 수 있습니다.
참조:'基于 GaSe 와 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 Chin.물리.Soc.
